导读：晶体管，只是对所有以半导体材料为基础的元件的统称，那么问题来了，晶体管工作原理是什么呢?接下来就让我们以双极性晶体管和场效应晶体管为例来详细了解一下吧～

一、晶体管工作原理- -简介

晶体管，英文名称为transistor，泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，如二极管、三极管、场效应管等等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能，具有响应速度快、精度高等特点，是规范化操作手机、平板等现代电子电路的基本构建模块，目前已有着广泛的应用。

二、晶体管工作原理- -分类

晶体管泛指所有半导体器件，包含N多种类，因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管;根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管;其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。

三、晶体管工作原理- -双极性晶体管

双极性晶体管，英语名称为Bipolar Transistor，是双极性结型晶体管的简称，由于其具有三个终端，因此我们通常将其称为三极管。三极管由两个PN结构成，两个PN结将其分为发射区、基区和集电区，相应的产生三个电极：发射极、基极和集电极。

三极管的工作原理是酱紫的，首先，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，形成发射极电流;其次，自由电子由发射区流向基区后，首先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部形成了电子浓度差，使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结，形成集电极电流;最后，由于集电结处存在较大的反向电压，阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散，并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区，形成集电极电流。

四、晶体管工作原理- -场效应晶体管

场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。

对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小;反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。

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